МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ «ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА»
ДОСЛІДЖЕННЯ ПІДСИЛЮВАЛЬНИХ КАСКАДІВ НА ПОЛЬОВИХ ТРАНЗИСТОРАХ Інструкція до лабораторної роботи № 2 з навчальної дисципліни: “Електроніка та мікросхемотехніка” для студентів базового напряму 6.0914 «Інформаційна безпека», «Безпека інформаційних і комунікаційних систем», «Системи технічного захисту інформації», «Управління інформаційною безпекою» Затверджено на засіданні кафедри Захист інформації Протокол № від 2008 р. Львів – 2008 Дослідження підсилювальних каскадів на польових транзисторах: Інструкція до лабораторної роботи №2 з дисципліни: “Електроніка та мікросхемотехніка” / Укл.: Кеньо Г.В., Собчук І.С. ,  Львів: Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2008.  с. Укладач Кеньо Г.В., к. т. н., доц., Собчук І.С., к.ф.-м.н., доц. Відповідальний за випуск Дудикевич В.Б., д.т. н., проф. Рецензенти: МЕТА РОБОТИ Ознайомитися з основними параметрами і характеристиками підсилювальних каскадів на польових транзисторах для різних включень: спільним витоком(СВ), спільним стоком(СС). Отримати амплітудно-частотні характеристики, визначити коефіцієнти підсилення по напрузі і смугу пропускання підсилювальних каскадів для різного включення транзистора. Виявити вплив зміни параметрів пасивних елементів на коефіцієнт підсилення та смугу пропускання підсилювальних каскадів. ТЕОРЕТИЧНИЙ ВСТУП Польовим називається транзистор, керований електричною напругою – полем (на відміну від біполярних транзисторів, у яких процес керування обов’язково супроводжується протіканням струму у колі керуючого електрода – бази). Розрізняють польові транзистори(ПТ) з керуючим р-n переходом і з ізольованим затвором. На рис. 1 наведено конструкцію польового транзистора з керуючим р-n переходом.  EMBED Word.Picture.6 
 а) б) в) Рис. 1 – Структура та умовне позначення ПТ з керуючим p-n переходом з каналом n-типу (а і б) та умовне позначення ПТ з каналом p-типу (в) Цей транзистор являє собою напівпровідникову пластинку з провідністю, наприклад, n-типу, на верхній і нижній гранях якої створюються шари з провідністю р-типу. Ці шари з’єднують між собою, утворюючи єдиний електрод, що називається затвором (З). Шар з провідністю n-типу, що розташований між шарами з провідністю р-типу, називається каналом. Електрична ізоляція між каналом і затвором здійснюється за допомогою р-n переходів, що утворюються на межі напівпровідників з різною провідністю (використовується та властивість зони р-n переходу, що її опір безкінечний з-за відсутності у ній вільних носіїв заряду). На торці напівпровідникової пластинки (каналу) наносять омічні контакти, що утворюють два інших електроди, до яких підключається джерело живлення і навантаження. Контакт, до якого підключається негативний полюс джерела, називається витоком (В), а контакт, до якого підключається позитивний полюс, стоком (С). Більш широке застосування, особливо у складі ІМС, знаходять польові транзистори з ізольованим затвором, з структурою метал-діелектрик (окисел)- напівпровідник – МДН (МОН)-транзистори. Конструкція МОН - транзистора з індукованим каналом n-типу показана на рис. 2 а, а умовне зображення – на рис. 2 б, в.  EMBED Word.Picture.6 
 Рис. 2 – Конструкція МОН-транзистора з індукованим каналом n-типу (а) і умовні позначення таких транзисторів з каналами n-типу (б) та p-типу (в). Підсилювальні каскади на польових транзисторах. Принципи побудови підсилювальних каскадів на польових транзисторах ті самі, що і каскадів на біполярних транзисторах. Особливість полягає у тім, що польовий транзистор керується напругою, а не струмом. З цієї причини завдання режиму спокою в каскадах на польових транзисторах здійснюється подачею у вхідне коло каскаду постійної напруги відповідного значення і полярності.  EMBED Word.Pictu...